DERHAL YAYINLANACAKTIR No. 3078

Bu metin söz konusu basın bülteninin resmi İngilizce versiyonunun çevirisidir. Yalnızca referans olması ve kolaylık sağlaması amacıyla hazırlanmıştır. Ayrıntılar ve/veya özellikler için lütfen orijinal İngilizce metne başvurun. Herhangi bir tutarsızlık durumunda orijinal İngilizce versiyonun içeriği geçerlidir.

Mitsubishi Electric Yeni Nesil Kablosuz Baz İstasyonları için Dünyanın İlk Ultra Geniş Bantlı GaN Doherty Güç Amplifikatörlerini Geliştirdi

Benzersiz spektral uygunluk yeni nesil kablosuz baz istasyonlarının ebadını ve enerji tüketimini azaltacak

PDF Version (PDF:326.9KB)

TOKYO, 12 Ocak 2017 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ve Mitsubishi Electric Araştırma Laboratuvarları (MERL) bugün 600MHz işletme bant genişliğini kapsamak için 3GHz'nin üzerindeki (şirket tahminlerine göre) dünya lideri frekans bandı aralığıyla uyumlu yeni nesil baz istasyonları için ultra-geniş bantlı galyum nitrit (GaN) Doherty güç amplifikatörü geliştirdiğini açıkladı. Teknolojinin yeni nesil kablosuz baz istasyonlarının ebadının ve enerji tüketiminin azaltılmasına yardımcı olması bekleniyor. Teknik detaylar, 15-18 Ocak 2017 tarihlerinde, ABD'nin Arizona eyaletinde bulunan Phoenix kentinde düzenlenecek Radyo & Kablosuz Haftasında (RWW) gerçekleştirilecek olan IEEE Kablosuz ve Radyo Uygulamaları için RF/Mikrodalga Güç Amplifikatörleri Konferansında (PAWR2017) sunulacak.

Artan kablosuz kapasitesi talebinde yaşanan hızlı artışı karşılamaya yardımcı olmak için, mobil teknolojiler 3GHz'nin üzerindeki yeni frekans bantlarını tahsis ederek ve çoklu frekans bantları kullanarak kapasiteyi yükselten yeni nesil sistemlere geçiyorlar. Genel olarak, daha yüksek frekanslarda çalışırken güç amplifikatörlerinin verimliliği azalır. Aynı zamanda, farklı frekans bantları için farklı güç amplifikatörlerine ihtiyaç duyulur ve bu da daha büyük baz istasyonları kurulmasını gerektirebilir.Bu nedenle, çoklu frekanslara uyumlu ekstra verimli güç amplifikatörlerine yönelik bir talep mevcuttur.

Mitsubishi Electric'in yeni ultra-geniş bantlı GaN Doherty güç amplifikatörü çok geniş bir bant aralığında geliştirilmiş etkinlik için Doherty mimarisiyle geliştirilen ileri frekans kompensasyon devreleri kullanır. 3GHz üzerinde 600MHz etkinlik değeri, 12 Ocak 2017 itibariyle dünyanın en geniş seviyesi olarak belirlenmiştir.

Temel Özellikler

Yeni güç amplifikatörünün frekans kompensasyon devresi, Doherty güç amplifikatörleri için bir dünya rekorunu simgeleyecek şekilde üç kat daha fazla performans sağlayan bir geniş frekans aralığıyla (600MHz) etkinliği geliştiriyor. Çoklu radyo frekanslarının etkili amplifikasyonu için tek bir güç amplifikatörüyle geniş bantlı, yüksek verimli performans, baz istasyonlarının ebadını ve soğutma ihtiyaçlarını azaltmaya yardımcı olacak. Mitsubishi Electric'in yüksek verimli GaN cihazları (MGFS39G38L2) 3.0 ila 3.6GHz frekans aralığında yüzde 45.9'un üzerinde dünya standartlarında bir drenaj etkinliği sağlanmasına ve böylelikle enerji tüketiminin azaltılmasına katkıda bulunuyor. Ayrıca, LTE (Uzun Vadeli Evrim) 20MHz sinyalleri için ticari dijital ön distorsiyon (DPD) tekniğiyle -50dBc değerinde bir komşu kanal sızıntı oranı (ACLR) elde edilmektedir.

Spesifikasyonlar

Ultra-geniş bantlı GaN Doherty güç amplifikatörü
Frekanslar Çıkış gücü Drenaj etkinliği ACLR Giriş sinyali
3.0-3.6GHz 33.6-34.6dBm 45.9-50.2% -50dBc 20MHz LTE
7.5dB PAPR

Haber içerikleri, yayınlandıkları tarihten sonra güncel olmayan bilgiler içerebilir ve/veya bildirimde bulunmadan değiştirilebilir.