DERHAL YAYINLANACAKTIR No. 3085
Bu metin söz konusu basın bülteninin resmi İngilizce versiyonunun çevirisidir. Yalnızca referans olması ve kolaylık sağlaması amacıyla hazırlanmıştır. Ayrıntılar ve/veya özellikler için lütfen orijinal İngilizce metne başvurun. Herhangi bir tutarsızlık durumunda orijinal İngilizce versiyonun içeriği geçerlidir.
Mitsubishi Electric Silisyum Karbür Schottky-bariyer Diyotun Lansmanını Gerçekleştirecek
Güç kaynağı sistemlerinin enerji kaybını ve fiziksel ebadını azaltır
TOKYO, 1 Mart 2017 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) bugün klimalar, fotovoltaik güç sistemleri ve çok daha fazlası için güç kaynağı sistemlerinin enerji tüketimini ve fiziksel ebadını anında azaltmak üzere bir jonksiyon bariyerli Schottky (JBS) yapısı içeren bir silisyum karbür Schottky-bariyer diyotun (SiC-SBD) lansmanını gerçekleştireceğini açıkladı.
SiC-SBD (BD20060T)
SiC-SBD (BD20060S)
Ürün Özellikleri
- 1)
-
Silisyum karbür düşük enerji tüketimi ve kompakt ebat sağlamak için kullanılır
- Silisyumlu (Si) ürünlere kıyasla enerji kaybında yaklaşık %21 düşüşle daha iyi enerji çevrimi sonuçları
- Reaktörler gibi periferal komponentlerin ebadının küçültürken yüksek hızla açılıp kapatılmasını mümkün kılar - 2)
-
Jonksiyon bariyerli Schottky (JBS) yapısı sayesinde geliştirilmiş güvenilirlik
- Schottky bariyerini p-n jonksiyonla birleştirir
- JBS yapısı yüksek güvenilirlik sağlanmasına yardımcı olur
Satış Takvimi
| Seri | Model | Ambalaj | Spesifikasyon | Satışa Sunulacağı Tarih |
|---|---|---|---|---|
| SiC-SBD | BD20060T | TO-220 | 20A/600V | 1 Mart 2017 |
| BD20060S | TO-247 | 1 Eylül 2017 |
Haber içerikleri, yayınlandıkları tarihten sonra güncel olmayan bilgiler içerebilir ve/veya bildirimde bulunmadan değiştirilebilir.